• Memoria Kingston 8GB para Notebook KVR1333D3S9/8G
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Memoria Kingston 8GB para Notebook KVR1333D3S9/8G

Fabricante:
KINGSTON
Cód. do produto:
00067640
Memoria Kingston 8GB para Notebook KVR1333D3S9/8G
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Descrição: Memoria Kingston 8GB para Notebook KVR1333D3S9/8G Módulo de memória DDR3-1333(Synchronous DRAM)SDRAM 1GBx64-bit(8GB) CL9, 2Rx8, com componentes baseados em 16 512M x 8-bit FBGA. O SPD é programado para JEDEC de latencia padrão DDR3-1333 temporizado para 9-9-9 a 1.5V. ... Saiba mais

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Descrição

Memoria Kingston 8GB para Notebook KVR1333D3S9/8G


Módulo de memória DDR3-1333(Synchronous DRAM)SDRAM 1GBx64-bit(8GB) CL9, 2Rx8, com componentes baseados em 16 512M x 8-bit FBGA.

O SPD é programado para JEDEC de latencia padrão DDR3-1333 temporizado para 9-9-9 a 1.5V.

Os módulos 204 pinos SODIM possuem contatos banhados à ouro.

Características

Modelo: KVR1333D3S9/8G

Memória: 8GB

ESPECIFICAÇÕES ELÉTRICAS E MECÂNICAS:

CARACTERÍSTICAS:

• JEDEC padrão 1.5V (1.425V ~1.575V) fonte de energia
• VDDQ = 1.5V (1.425V ~ 1.575V)
• 667MHz fCK for 1333Mb/sec/pin
• 8 bancos internos independentes
• Latência CAS programável: 9, 8, 7, 6
• Latência aditiva Programável : 0, CL - 2, or CL - 1 clock
• Latência Escrita(CWL) CAS programável= 7 (DDR3-1333)
• 8-bit pre-fetch
• Corpo de Esplosão: 8 (Iterfolheamento se limite, com somente“000” de endereço inicial), 4 com tCCD = 4 que não permitem imendas de leitura ou escrita [ou em tempo real usando A12 ou MRS]
• Differential Data Strobe Bi-direcional
• Autocalibragem interna: através de ZQ pino (RZQ : 240 ohm ± 1%)
• Terminação resistiva usando pinos ODT
• Média do período de resfriamento 7.8us ou menor em TCASE 85°C,
3.9us em 85°C < TCASE < 95°C
• Reset assincono
• PCB: Height 1.18” (30mm), componente de dois lados

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